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Unidad en estado solido Gigabyte GP-GSM2NE3100TNTD, 1TB, M.2, 2280, NVMe PCIe 3.0 x4

  • Unidad en estado solido Gigabyte GP-GSM2NE3100TNTD
  • Capacidad 1TB, M.2, 2280
  • NVMe PCIe 3.0 x4.
  • Velocidad de escritura 2100 MB/s
  • Velocidad de lectura 2500 MB/s
  • NAND Flash.

S/590.00

MARCA GIGABYTE
NUMERO DE PARTE GP-GSM2NE3100TNTD
CAPACIDAD 1 TB
INTERFAZ PCI-E 3.0 X4
VELOCIDAD DE LECTURA 2500 MB/S
VELOCIDAD DE ESCRITURA 2100 MB/S
FORMATO 2280
TIPO DE CHIP TIPO CHIP NAND FLASH
DIMENSIONES DEL PRODUCTO 80 x 22 x 2.3 MM
CONDICIONES DE OPERACION TEMPERATURA 0°C A 70°C
CONDICIONES DE ALMACENAJE TEMPERATURA -40°C A 85°C
SKU: GP-GSM2NE3100TNTD Categorías: , ,
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