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Unidad en estado solido Gigabyte GP-GSM2NE3512GNTD, 512GB, M.2, 2280

  • Unidad en estado solido Gigabyte GP-GSM2NE3512GNTD
  • Capacidad 512GB, M.2, 2280 NVMe PCIe Gen 3.0 x4
  • Velocidad de escritura 1550 MB/s
  • Vvelocidad de lectura 1700 MB/s, Nand Flash.

S/360.00

ESPECIFICACIONES TECNICAS
INTERFAZ
:
PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3
FACTOR FORMA
:
M.2 2280
CAPACIDAD
:
512GB
NAND
:
Flash NAND
FLASH NAND
:
Caché DDR externa
CACHÉ DDR EXTERNA
:
N / A
VELOCIDAD LECTURA SECUENCIAL
:
Hasta 1700 MB / s
VELOCIDAD ESCRITURA SECUENCIAL
:
Hasta 1550 MB / s
IOPS DE LECTURA ALEATORIA
:
Hasta 270K
ESCRITURA ALEATORIA IOPS
:
Hasta 340K
DIMENSIÓN
:
80 x 22 x 2,3 mm
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLAS (MTBF)
:
1,5 millones de horas
CONSUMO ENERGÍA (activo)
:
Media leer: 3.3W; Escribir: 2.8W
CONSUMO ENERGÍA (inactivo)
:
1.8mw
TEMPERATURA (en funcionamiento)
:
0 ° C a 70 ° C
TEMPERATURA (almacenamiento)
:
-40 ° C a 85 ° C
NÚMERO DE PARTE : GP-GSM2NE3512GNTD
SKU: GP-GSM2NE3512GNTD Categorías: , , Etiquetas: ,
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